
2023
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第55回(2023年秋季)応用物理学会講演奨励賞
熱光発電に向けたMg2Siフォトダイオードの電流電圧特性の評価
宮後 大介(坂根駿也, 鵜殿治彦)
講演日2023年9月22日、表彰日2024年3月22日 |
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優秀発表賞(ポスター部門)Mg2Si への p 型拡散層の形成時間と受光感度の関係 |
2022
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優秀発表賞
反応性イオンエッチングによるMg2Si基板表面の微細加工
中村陸斗(中村陸斗, 津谷大樹, 吉田美沙, 鵜殿治彦) |
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優秀発表賞Mg2SiウェハのXRCピークとX線回折角の関係 |
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スポンサー賞(ラムリサーチ賞)マグネシウムシリサイド半導体を用いた赤外線センサと熱光発電セルの開発 |
2021
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優秀発表賞メッシュ状電極Mg 2Siフォトダイオードの温度依存性 |
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優秀発表賞リンイオン注入プロセスによるMg 2Si -PDの作製 |
2020
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電気学会東京支部 電気学術助成活動奨励賞 受賞岡田理央, 2020年3月 |
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2019
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Young Scientist Award (APAC-Silicide 2019) → Awards"Comparison of crystalline quality and electrical property of Mg2Si crystals grown using PBN and PG coated graphite crucibles" |
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2018
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優秀発表賞OCVD法によるMg 2Siのライフタイム評価 |
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優秀発表賞Znを添加したMg 2Sn結晶の融液成長 |
2017
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優秀発表賞溶融Mg 2Si結晶の添加不純物による酸化効果への影響 |
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2016
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優秀発表賞Mg 2Siを用いたフォトダイオードの光検出器としての性能評価 |
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Young Scientist Award (APAC-Silicide 2016)"Oxidation Resistance of Impurity Doped Mg2Si Grown from the Melt" |
2015
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講演奨励賞スパッタエッチングによるMg 2Si結晶中のAg熱拡散深さの評価 |
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2014
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Young Scientist Award (ICSS-Silicide 2014)
"Evaluation of Mg 2Si pn-junction depth by sputter etching" |
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優秀発表賞
Sb, Bi添加Mg 2Si結晶における格子定数と熱伝導率 |
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優秀発表賞
Mg 2Si溶融結晶の格子熱伝導率の低減と熱電性能の改善 |
2013
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Young Scientist Award (APAC-Silicide 2013)
"Optical measurements of Ba 8Ga 16Ge 30 clathrate grown by self-flux method" |
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優秀発表賞
マグネシウムシリサイド単結晶への不純物共添加効果 |
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優秀発表賞
Mg 2Si pn接合ダイオードの分光特性改善 |
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優秀発表賞
Mg 2Si pn接合ダイオードの接合深さによる受光特性への影響 |
2012
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優秀発表賞
不純物添加したマグネシウムシリサイド結晶の成長 |
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2010以前
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優秀発表賞赤外受光素子用高純度Mg 2Si結晶の電気特性 |
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優秀発表賞Mg 2Siの結晶性と熱伝導率の関係 |
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優秀発表賞Mg 2Sn結晶の成長と評価 |
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優秀発表賞β-FeSi 2単結晶の熱電特性評価 |